格子転位を除去するための急速熱処理によるヘテロエピタキシャル層の形成

摘要

原子層堆積（ＡＬＤ）及びそれに続く急速熱アニーリングを用いてシリコン基板の上に窒化ガリウム層を成長させることによる窒化ガリウムデバイスのデバイス製造方法及び装置が開示される。窒化ガリウムは、シリコンの上で直接又はシリコン基板の上に成長した窒化アルミニウムのバリア層の上で成長する。一方又は両方の層が、急速熱アニーリングによって熱処理される。好ましくは、ＡＬＤプロセスは、５５０℃未満、好ましくは３５０℃未満の反応温度を使用する。急速熱アニーリングステップは、１２ミリ秒未満で、コーティング面の温度を５５０℃から１５００℃の範囲の温度まで上昇させる。【選択図】図３