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发明名称 Method of forming storage electrode with hemispherical grained silicon
摘要
申请公布号 GB2326024(A) 申请公布日期 1998.12.09
申请号 GB19980011880 申请日期 1998.06.02
申请人 * NEC CORPORATION 发明人 TOSHIYUKI * HIROTA
分类号 H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/320;H01L21/824 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
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