| 发明名称 | 半导体集成电路隧道氧化窗口区域设计的结构及方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体集成电路隧道氧化窗口区域设计的结构及方法，该结构包括一个包括有表面区域的衬底，该表面区域位于一个第一个单元区域内；一个具有第一厚度的栅极介电层，覆盖在该衬底表面；一个选择栅极，覆盖在该栅极介电层的第一区域上；一个悬浮栅极，覆盖在该栅极介电层的第二区域上，并与该选择栅极相耦合；一个绝缘层，覆盖在悬浮栅极上；一个控制栅极，覆盖在位于该悬浮栅极之上的绝缘层上，并与该悬浮栅极耦合；一个通道窗口，位于该栅极介电层的区域内的带状结构中，该栅极介电层的该区域具有小于所述第一厚度的第二厚度。本发明简化了传统技术、提高了器件的产率和器件的密度；并与传统制程技术兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN1635639A | 申请公布日期 | 2005.07.06 |
| 申请号 | CN200310122971.5 | 申请日期 | 2003.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴佳特;蔡建祥 |
| 分类号 | H01L27/115;H01L21/8247;G11C16/02 | 主分类号 | H01L27/115 |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 1、一种EEPROM集成电路结构，包括：一个包括有表面区域的衬底，该表面区域位于一个第一个单元区域内；一个具有第一厚度的栅极介电层，覆盖在该衬底表面；一个选择栅极，覆盖在该栅极介电层的第一区域上；一个悬浮栅极，覆盖在该栅极介电层的第二区域上，并与该选择栅极相耦合；一个绝缘层，覆盖在悬浮栅极上；一个控制栅极，覆盖在位于该悬浮栅极之上的绝缘层上，并与该悬浮栅极耦合；一个通道窗口，位于该栅极介电层的区域内的带状结构中，该栅极介电层的该区域具有小于所述第一厚度的第二厚度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||