| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101339933A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810096579.0 | 申请日期 | 2008.05.16 |
| 申请人 | 富士电机电子技术株式会社 | 发明人 | 堀尾真史;池田良成;望月英司 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01);H01L23/498(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，具有：绝缘板；与所述绝缘板的第一主面接合的第一金属箔；与所述绝缘板的第二主面接合的至少一个第二金属箔；和通过焊接层接合在所述第二金属箔上的、壁厚大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||