发明名称 表面声波装置
摘要 一种表面声波装置,使得可以容易调节共振频率和中心频率,频率-温度性质优良,比例带宽宽,并且反共振阻抗高。该表面声波装置包括机电系数为15%或更高的LiTaO<sub>3</sub>或LiNbO<sub>3</sub>的压电基板(1);至少一个电极,所述电极形成在压电基板(1)上并且是层压薄膜,所述层压薄膜具有由密度大于Al的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层,和层压在主金属层上由另一金属构成的金属层;和第一SiO<sub>2</sub>层(2),该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中,并且具有约等于电极厚度的厚度。上述表面声波装置还包含密度为第一SiO<sub>2</sub>层(2)密度的1.5倍或更高并且覆盖所述电极和第一SiO<sub>2</sub>层(2)的第二SiO<sub>2</sub>层(6),和形成在第二SiO<sub>2</sub>层(6)上的氮化硅化合物层(22)。
申请公布号 CN100563100C 申请公布日期 2009.11.25
申请号 CN200580006792.2 申请日期 2005.02.23
申请人 株式会社村田制作所 发明人 西山健次;高田英一;中尾武志;门田道雄
分类号 H03H9/145(2006.01)I;H01L41/00(2006.01)I;H03H9/25(2006.01)I 主分类号 H03H9/145(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 陈瑞丰
主权项 1.一种表面声波装置,包含:LiTaO3或LiNbO3的压电基板,所述压电基板的机电系数为15%或更高;至少一个电极,所述电极形成在压电基板上并且是层压体,所述层压体具有由密度大于Al密度的金属或主要由该金属构成的合金的金属层作为主金属层,和层压在主金属层上并且由另一金属构成的金属层;和第一SiO2层,该层形成在除形成所述至少一个电极的区域以外的剩余区域中,并且具有等于电极厚度的厚度,其中所述电极的密度为第一SiO2层密度的1.5倍或更高,并且还提供为覆盖所述电极和第一SiO2层而形成的第二SiO2层,和形成在第二SiO2层上的氮化硅化合物层,其中当第二SiO2薄膜的厚度用h表示,并且表面声波的波长用λ表示时,0.08≤h/λ≤0.5成立,其中当压电基板由旋转的Y-切X-传播LiTaO3或LiNbO3形成,第二SiO2层厚度用h1表示,形成在第二SiO2层上的氮化硅化合物层的厚度用h2表示,表面声波的波长用λ表示,并且满足以下等式:系数A1=-190.48,系数A2=76.19,系数A3=-120.00,系数A4=-47.30,系数A5=55.25,H1=h1/λ,H2=h2/λ,和θ=(A1H12+A2H1+A3)H2+A4H1+A5时,旋转的Y-切X-传播压电基板的Y-X交角在θ+5°范围内。
地址 日本京都府