| 主权项 |
1.一种用以于半导体装置上形成导电凸粒之方法,其包括之下列步骤:提供具有多个凸粒垫(22)之半导体晶粒;于该各多个凸粒垫上形成晶种层(16);于该晶种层上形成锡层(40);及于各多个凸粒垫(22)上形成共晶层,使得共晶层能(42)覆盖锡层。2.如申请专利范围第1项之方法,尚包括在形成锡层之步骤前及形成晶种层之步骤后,于该各多个凸粒垫(22)上形成铜层(36)之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,尚包括在各多个导电凸粒垫(22)上并在沉积共晶层(48)之步骤前形成支座层(46)之步骤。4.如申请专利范围第3项之方法,其中支座层(46)系在沉积锡层(40)之步骤后形成。5.一种于半导体装置上形成导电凸粒之方法,此方法包括之步骤如下:提供具有互连位置(22)之半导体装置;于该互连位置上形成晶种层(16);形成晶种层上含铜之第一层(36);使用蒸发方法于该第一层(36)上形成含锡之第二层(38);使用蒸发方法形成含铅之第三层(46);于该第三层(46)上形成含共晶材料(48)之第四层;回流该第四层(48)以在互连位置(22)上形成共晶凸粒,其中第四层(48)于回流后实质上围绕第三层(46)。图式简单说明:第一图示出半导体装置上之下凸粒冶金结构横截面图;第二图示出第一图接着沉积凸粒材料后之下凸粒冶金横截面图;第三图示出接着回流第二图中凸粒材料后之晶粒凸粒横截面图;第四图示出第三图中之下凸粒冶金顶部具有支座部分形成之晶粒凸粒横截面图。 |
