| 发明名称 | 一种LED外延片及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征GaN层之上的SiN<sub>x</sub>层，所述SiN<sub>x</sub>层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及形成在所述SiN<sub>x</sub>层之上的第二本征GaN层。该LED外延片及其制备方法，可减少外延片的缺陷，提高晶体质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103456852B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
| 申请号 | CN201210171423.0 | 申请日期 | 2012.05.30 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 吴明驰;谢春林;刘函 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种LED外延片，包括衬底，衬底之上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，其特征在于，所述缓冲层包括：形成在衬底之上的InN层，所述InN层分布有暴露出衬底的空洞；形成在所述InN层之上的第一本征GaN层；形成在所述第一本征GaN层之上的SiN<sub>x</sub>层，所述SiN<sub>x</sub>层分布有暴露出第一本征GaN层的空洞；以及形成在所述SiN<sub>x</sub>层之上的第二本征GaN层。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||