| 发明名称 | 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域。包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106)，其特征在于：第一n型层(101)、第二n型层(102)中间有电子势阱层(103)；实现电子势阱有两种方法，一种是电子势阱层(103)采用p型材料，第二种方法是电子势阱层(103)采用第一n型层(101)或第二n型层(102)掺杂浓度二倍以上的n+型材料，在形成nn+结后，在电子势阱层(103)中形成了电子势阱。本发明提供一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管结构，与传统结构不同，具备自动熄灭然后自动恢复的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN104505421B | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201410601406.5 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 郭霞;刘巧莉;李冲;董建;刘白 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 刘萍 |
| 主权项 | 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管，包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106)，其特征在于：第一n型层(101)和第二n型层(102)相同，第一n型层(101)、第二n型层(102)中间有电子势阱层(103)；实现电子势阱有两种方法，一种是电子势阱层(103)采用p型材料，与第一n型层(101)、第二n型层(102)形成pn结后，能带上升，使得第一n型层(101)或第二n型层(102)的电子位置能量均低于电子势阱层(103)，从而在第一n型层(101)、第二n型层(102)中形成了电子势阱；第二种方法是电子势阱层(103)采用第一n型层(101)或第二n型层(102)掺杂浓度二倍以上的n<sup>+</sup>型材料，在形成nn<sup>+</sup>结后，在电子势阱层(103)中形成了电子势阱。 | ||
| 地址 | 100124 北京市朝阳区平乐园100号 | ||