发明名称 在γ-LiAlO<SUB>2</SUB>衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法
摘要 一种在γ-LiAlO<SUB>2</SUB>单晶衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法,包括如下具体步骤:<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的γ-LiAlO<SUB>2</SUB>衬底及纯度优于99.99%的ZnO单晶或多晶靶材送入脉冲激光淀积系统;<2>将腔内抽成高真空,真空度≥0.1pa,然后充入流动高纯氧气,其气压≥100mTorr;<3>对衬底进行加热,升温至400~650℃,KrF准分子激光通过透镜聚光,经光学窗口照射到装置内的ZnO靶材上,靶材表层分子熔蒸后淀积在γ-LiAlO<SUB>2</SUB>单晶衬底上成膜,缓慢降温后即可得到ZnO单晶薄膜。本方法可以得到质量优异的ZnO单晶薄膜,方法简单、成本较低,有广阔的应用前景和市场潜力。
申请公布号 CN1635191A 申请公布日期 2005.07.06
申请号 CN200410084404.X 申请日期 2004.11.22
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所 发明人 邹军;周圣明;徐军;夏长泰;苏凤莲;李抒智;彭观良;王银珍;刘世良
分类号 C30B23/02;C30B29/16;H01L21/203 主分类号 C30B23/02
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 张泽纯
主权项 1.一种在γ-LiAlO2单晶衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法,其特征在于包括如下具体步骤:<1>将清洗的双面抛光或单面抛光的γ-LiAlO2衬底及纯度优于99.99%的ZnO单晶或多晶靶材送入脉冲激光淀积系统;<2>将腔内抽成高真空,真空度≥0.1pa,然后充入流动高纯氧气,其气压≥100mTorr;<3>对衬底进行加热,升温至400~650℃,KrF准分子激光通过透镜聚光,经光学窗口照射到装置内的ZnO靶材上,靶材表层分子熔蒸后淀积在γ-LiAlO2单晶衬底上成膜,缓慢降温后即可得到ZnO单晶薄膜。
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