发明名称 半导体生产装置的异常停止避免方法和异常停止避免系统
摘要 提供进行正确故障时间的预测,可进行安全低成本的维护的异常停止避免系统。包含:反应室(521);将反应室(521)置于减压状态的真空泵(18,19);向反应室(521)导入气体的气体供给控制系统(51);测定真空泵(18,19)的特征量的时间系列数据的特征量传感器(31~37);实时控制反应室(521)、真空泵(18,19)和气体供给控制系统(51)的实时控制器(531);通过对时间系列数据的第一实时解析取得第一故障诊断数据,通过对第一故障诊断数据的第二实时解析取得第二故障诊断数据,由此预测故障的故障实时判定模块(533)。判断为异常停止的情况下,由气体供给控制系统(51)向反应室(521)导入清洁(purge)用气体。
申请公布号 CN100402826C 申请公布日期 2008.07.16
申请号 CN02160295.6 申请日期 2002.08.30
申请人 株式会社东芝 发明人 石井贤;中尾隆;牛久幸广;佐俣秀一
分类号 F02M3/09(2006.01);F04C25/02(2006.01);F16L59/06(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 F02M3/09(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 吴丽丽
主权项 1.一种半导体生产装置的异常停止避免方法,其特征在于,包括:在生产中运转半导体生产装置,时常测定该半导体生产装置中使用的真空泵的特征量的时间系列数据的步骤;对上述时间系列数据进行第一实时解析并取得一次故障诊断数据的步骤;对上述一次故障诊断数据进行第二实时解析并取得二次故障诊断数据的步骤;使用上述二次故障诊断数据,实时预测数分钟后的上述半导体生产装置的状态的步骤;以及在上述预测结果判断为在生产过程中上述半导体生产装置异常停止的情况下,中止上述生产过程,转移到对上述半导体生产装置进行气体清洁的清洁序列的步骤。
地址 日本东京都