半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明的半导体器件具备：第一氢阻挡膜，在第一氢阻挡膜上形成的电容元件，以覆盖电容元件的方式形成的第二氢阻挡膜。第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜至少包含1个使第一氢阻挡膜和第二氢阻挡膜密接的同一种原子。

主权项

1. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包括：形成第一氢阻挡膜的工序a，在所述第一氢阻挡膜上形成电容元件的工序b，在所述工序b之后，对所述电容元件的周边露出的所述第一氢阻挡膜的表面进行蚀刻的工序c，在所述工序c之后，以覆盖所述电容元件的方式，同时在所述电容元件的周边连接所述第一氢阻挡膜形成第二氢阻挡膜的工序d；所述第一氢阻挡膜和所述第二氢阻挡膜至少包含1个使所述第一氢阻挡膜与所述第二氢阻挡膜密接的同一种原子，所述工序c中，将所述第一氢阻挡膜和所述第二氢阻挡膜中所共含的所述原子的结合状态的结合键分解，形成悬空键，所述第一氢阻挡膜和所述第二氢阻挡膜，通过所述同一种原子的化学结合而密接。