| 发明名称 | 用于制造混合集成的构件的方法 | ||
| 摘要 | 利用本发明提出了一种用于混合集成的构件的制造方法，所述构件具有至少一个MEMS结构元件、一用于所述MEMS结构元件的微机械结构的罩以及至少一个ASIC基底。根据本发明，为此，所述MEMS结构元件(100)的微机械结构和在一个层构型中的所述罩(30)由一共同的半导体基底(10)出发进行制造，其方式是，将至少一个罩层(30)施加到所述半导体基底(10)的第一表面上，并且其方式是，将所述半导体基底(10)从其另外的第二表面(15)出发进行处理且结构化，以便产生并露出所述微机械的MEMS结构。然后，所述半导体基底(10)以MEMS结构化的第二表面(15)装配在所述ASIC基底(60)上。 | ||
| 申请公布号 | CN103420325B | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201310294295.3 | 申请日期 | 2013.04.22 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | J·弗莱;F·菲舍尔 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 侯鸣慧 |
| 主权项 | 用于制造混合集成的构件(101；102)的方法，所述构件至少包括：‑一MEMS结构元件(100)；‑一用于所述MEMS结构元件的微机械结构的罩；以及‑一ASIC基底(60)；其中，所述MEMS结构元件(100)的所述微机械结构和在一个层构型中的所述罩(30)由一共同的半导体基底(10)出发被制造，·其方式是，将至少一个罩层施加到所述半导体基底(10)的第一表面上，以及·其方式是，将所述半导体基底(10)从其另外的第二表面(15)出发进行处理并且结构化，以便制造并露出微机械的MEMS结构；所述半导体基底(10)以MEMS结构化的所述第二表面(15)被装配在所述ASIC基底(60)上，其特征在于，至少一个牺牲层(20)被施加到所述半导体基底(10)的所述第一表面上并且被结构化，使得所述至少一个牺牲层形成了用于MEMS结构与罩(30)之间的空腔(21)的占位件；所述至少一个罩层在结构化的所述至少一个牺牲层(20)上方被施加到所述半导体基底(10)的所述第一表面上。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||