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一种依据具有将成像于一基板上之特征的一目标图案来产生互补光罩的电脑执行方法，该等互补光罩系用于多重曝光微影成像程序，该方法包括下面步骤：界定对应于该目标图案的一初始H光罩；界定对应于该目标图案的一初始V光罩；于该H光罩中辨识水平临界特征，该等水平临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；于该V光罩中辨识垂直临界特征，该等垂直临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；藉由该电脑指派一第一相移与一第一透射百分率给该等水平临界特征，该等水平特征将形成于该H光罩中以便呈现该第一相移与该第一透射百分率；藉由该电脑指派一第二相移与一第二透射百分率给该等垂直临界特征，该等垂直特征将形成于该V光罩中以便呈现该第二相移与该第二透射百分率；利用该多重曝光微影成像程序的一模拟，判定水平及垂直散射条纹之一最大可允许宽度，使得该多重曝光程序的一最终成像结果没有残留散射条纹出现；将水平散射条纹施加至该H光罩中，其延伸平行于该等水平特征之部分的边缘；将垂直散射条纹施加至在该V光罩中，其延伸平行于该等垂直特征之部分的边缘。如请求项1之产生互补光罩的方法，其进一步包括指派铬给该H光罩与该V光罩中所有的非临界特征，该等非临界特征的宽度大于或等于该预定临界宽度，该等非临界特征要形成于利用铬的该H光罩与该V光罩中。如请求项2之产生互补光罩的方法，其中该第一相移与该第二相移相等，该第一透射百分率与该第二透射百分率相等。如请求项2之产生互补光罩的方法，其进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该H光罩中的特征的垂直边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该水平散射条纹至该H光罩。如请求项2之产生互补光罩的方法，其进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该V光罩中的特征的水平边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该垂直散射条纹至该V光罩。一种用于控制一电脑的电脑程式产品，包括可由该电脑来读取的一记录媒体，记录于该记录媒体上的指令用于依据具有将成像于一基板上之特征的一目标图案引导该电脑实施产生代表互补光罩之档案的一程序，该等互补光罩系用于一多重曝光微影成像程序，该程序包括下面步骤：界定对应于该目标图案的一初始H光罩；界定对应于该目标图案的一初始V光罩；于该H光罩中辨识水平临界特征，该等水平临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；于该V光罩中辨识垂直临界特征，该等垂直临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；指派一第一相移与一第一透射百分率给该等水平临界特征，该等水平特征将形成于该H光罩中以便呈现该第一相移与该第一透射百分率；以及指派一第二相移与一第二透射百分率给该等垂直临界特征，该等垂直特征将形成于该V光罩中以便呈现该第二相移与该第二透射百分率；利用该多重曝光微影成像程序的一模拟，以判定水平及垂直散射条纹之一最大可允许宽度，使得该多重曝光程序的一最终成像结果没有残留散射条纹出现；将水平散射条纹施加至该H光罩中，其延伸平行于该等水平特征之部分的边缘；将垂直散射条纹施加至该V光罩中，其延伸平行于该等垂直特征之部分的边缘。如请求项6之电脑程式产品，其中该程序进一步包括下面步骤：指派铬给该H光罩与该V光罩中所有的非临界特征，该等非临界特征的宽度大于或等于该预定临界宽度，该等非临界特征要形成于利用铬的该H光罩与该V光罩中。如请求项7之电脑程式产品，其中该第一相移与该第二相移相等，该第一透射百分率与该第二透射百分率相等。如请求项7之电脑程式产品，其中该程序进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该H光罩中的特征的垂直边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该水平散射条纹至该H光罩。如请求项7之电脑程式产品，其进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该V光罩中的特征的水平边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该垂直散射条纹至该V光罩。一种器件制造方法，其包括下列步骤：(a)提供至少部份被一辐射敏感材料层所覆盖的一基板；(b)利用一成像系统提供一辐射投影光束；(c)产生复数个光罩，用以使该投影光束于其剖面上具有一图案；(d)藉由一多重曝光微影成像程序将图案化的辐射光束投影至该辐射敏感材料层的一目标部份上；其中，于步骤(c)中，该等光罩系由包含下面步骤的方法所形成的：界定对应于一目标图案的一初始H光罩；界定对应于该目标图案的一初始V光罩；于该H光罩中辨识水平临界特征，该等水平临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；于该V光罩中辨识垂直临界特征，该等垂直临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；指派一第一相移与一第一透射百分率给该等水平临界特征，该等水平特征将形成于该H光罩中以便呈现该第一相移与该第一透射百分率；以及指派一第二相移与一第二透射百分率给该等垂直临界特征，该等垂直特征将形成于该V光罩中以便呈现该第二相移与该第二透射百分率；利用该多重曝光微影成像程序的一模拟，以判定水平及垂直散射条纹之一最大可允许宽度，使得该多重曝光程序的一最终成像结果没有残留散射条纹出现；将水平散射条纹施加至该H光罩中，其延伸平行于该等水平特征之部分的边缘；将垂直散射条纹施加至该V光罩中，其延伸平行于该等垂直特征之部分的边缘。如请求项11之器件制造方法，其中步骤(c)进一步包括下面步骤：指派铬给该H光罩与该V光罩中所有的非临界特征，该等非临界特征的宽度大于或等于该预定临界宽度，该等非临界特征要形成于利用铬的该H光罩与该V光罩中。如请求项12之器件制造方法，其中该第一相移与该第二相移相等，该第一透射百分率与该第二透射百分率相等。如请求项12之器件制造方法，其中步骤(c)进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该H光罩中的特征的垂直边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该水平散射条纹至该H光罩。如请求项12之器件制造方法，其中步骤(c)进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该V光罩中的特征的水平边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该垂直散射条纹至该V光罩。一种藉由一多重曝光微影成像程序成像一晶圆的方法，其包括下面的步骤：界定将成像至基板上的一目标图案；界定对应于该目标图案的一初始H光罩；界定对应于该目标图案的一初始V光罩；于该H光罩中辨识水平临界特征，该等水平临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；于该V光罩中辨识垂直临界特征，该等垂直临界特征具有一宽度，其小于一预定临界宽度；指派一第一相移与一第一透射百分率给该等水平临界特征，该等水平特征要形成于该H光罩中以便呈现该第一相移与该第一透射百分率；以及指派一第二相移与一第二透射百分率给该等垂直临界特征，该等垂直特征要形成于该V光罩中以便呈现该第二相移与该第二透射百分率；利用该多重曝光微影成像程序的一模拟，以判定水平及垂直散射条纹之一最大可允许宽度，使得该多重曝光程序的一最终成像结果没有残留散射条纹出现；将水平散射条纹施加至该H光罩中，其延伸平行于该等水平特征之部分的边缘；将垂直散射条纹施加至该V光罩中，其延伸平行于该等垂直特征之部分的边缘；运用一第一照明源成像该H光罩；以及运用一第二照明源成像该V光罩。如请求项16之成像一晶圆的方法，其进一步包括指派铬给该H光罩与该V光罩中所有的非临界特征，该等非临界特征的宽度大于或等于该预定临界宽度，该等非临界特征要形成于利用铬的该H光罩与该V光罩中。如请求项17之成像一晶圆的方法，其中该第一相移与该第二相移相等，该第一透射百分率与该第二透射百分率相等。如请求项17之成像一晶圆的方法，其进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该H光罩中的特征的垂直边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该水平散射条纹至该H光罩。如请求项17之成像一晶圆的方法，其进一步包括下面步骤：施加铬屏蔽至该V光罩中的特征的水平边缘；以及在施加该铬屏蔽之后，施加该垂直散射条纹至该V光罩。如请求项16之成像一晶圆的方法，其中该第一照明源与该第二照明源为双极照明。如请求项16之成像一晶圆的方法，其中该第一照明源为一双极照明，而该第二照明源为一非双极照明。如请求项22之成像一晶圆的方法，其中该第二照明源系QUASAR照明或环状照明两者中其中一者。 |
