| 发明名称 | 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种照明用氮化镓基发光二极管器件，该二极管器件包括：p型衬底(3)；在p型衬底(3)上依次外延生长的p型GaN基化合物(5)和n型InGaN有源层(6)；在n型InGaN有源层(6)上制备的n型透明电极(12)；和在p型衬底(3)的背面制备的p型电极(11)。利用本发明，使电子－空穴复合发光区与整个耗尽层基本重合，可提高二极管的发光效率；另一方面，在低温下制备pn结，可有效地防止In组份的逃逸，大大提高pn结质量；通过pnp的叠形层生长，可成倍提高器件功率。 | ||
| 申请公布号 | CN101118938A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200610089075.7 | 申请日期 | 2006.08.02 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 韩培德 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种照明用氮化镓基发光二极管器件，其特征在于，该二极管器件包括：p型衬底(3)；在p型衬底(3)上依次外延生长的p型GaN基化合物(5)和n型InGaN有源层(6)；在n型InGaN有源层(6)上制备的n型透明电极(12)；和在p型衬底(3)的背面制备的p型电极(11)。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||