一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术

摘要

本发明提供一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术，所述技术包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化铝多晶薄膜；对所述氮化铝多晶薄膜进行热氧化处理，形成氮化氧铝多晶层；以氮化氧铝多晶层作为缓冲层，在其上进行氮化物的外延生长。本发明的优点在于，氮化氧铝具有良好的晶格失配弛豫作用，能缓解用于生长氮化物基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配，减小应力，形成柔性应变协变层，柔性地缓冲了外延层和衬底间的应力，可获得低位错密度、高晶体质量的晶体薄膜，与现有半导体技术兼容，重复性好，利于大规模生产。同时氮化氧铝具有良好的热、化学稳定性，不易与衬底和外延层之间发生界面反应，避免外延层的杂质沾污。

主权项

一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化铝多晶薄膜；对所述氮化铝多晶薄膜进行热氧化处理，形成氮化氧铝多晶层；以氮化氧铝多晶层作为缓冲层，在其上进行氮化物的外延生长。