发明名称 | 一种低相位噪声LC-VCO | ||
摘要 | 本发明公开了一种低相位噪声LC‑VCO,所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4;NMOS管Mn1、Mn2;固定电容C1、C2、Cc1、Cc2;可变电容Cvar1、Cvar2;两端电感ind;电阻R1、R2。本发明通过固定电容Cc1、Cc2将震荡电压波形耦合到并联的尾电流源的PMOS管的栅极上,采用尾电流源动态切换技术,减小了交叉耦合负阻MOS管的电流波形占空比,而且减少了尾电流源MOS管陷阱的产生,从而降低LC‑VCO的相位噪声;另外,本发明将交叉耦合负阻PMOS的衬底接到地,从而降低了交叉耦合PMOS的阈值电压,使得负阻提供的电流增大,LC‑VCO的相位噪声降低。 | ||
申请公布号 | CN104052472B | 申请公布日期 | 2016.09.07 |
申请号 | CN201410256146.2 | 申请日期 | 2014.06.10 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王源;甘善良;贾嵩;张钢刚;张兴 |
分类号 | H03L7/099(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/099(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
主权项 | 一种低相位噪声LC‑VCO,其特征在于,所述一种低相位噪声LC‑VCO包括PMOS管Mp1、Mp2、Mp3、Mp4;NMOS管Mn1、Mn2;固定电容C1、C2、Cc1、Cc2;可变电容Cvar1、Cvar2;两端电感ind;电阻R1、R2;所述可变电容Cvar1、Cvar2的阳极均连接电容调节电压Vtune,所述固定电容C1连接在所述Cvar1的阴极与输出节点VCOP之间;所述固定电容C2连接在所述Cvar2的阴极与输出节点VCON之间;所述两端电感ind连接在所述VCOP和VCON之间;所述两端电感ind、可变电容Cvar1、Cvar2、固定电容C1、C2构成基本LC Tank;所述Mp1和所述Mp2交叉耦合形成负阻,所述Mp1的栅极连接所述Mp2的漏极,所述Mp1的漏极连接所述MP2的栅极;所述Mp1的源极和所述Mp2的源极均与所述Mp3的漏极、所述Mp4的漏极连接;所述Mp1的漏极连接所述输出节点VCOP;所述Mp2的漏极连接所述输出节点VCON;所述Mp1、Mp2的衬底均接地;所述Mn1与所述Mn2交叉耦合形成负阻,所述Mn1的栅极连接所述Mn2的漏极;所述Mn1的漏极连接所述Mn2的栅极;所述Mn1的漏极连接所述VCOP;所述Mn2的漏极连接所述VCON;所述Mn1源极、Mn1的衬底、Mn2的源极、Mn2的衬底均接地;所述Cc1连接在所述VCOP和所述Mp3的栅极之间,所述Cc2连接在所述VCON和所述Mp4之间;所述Mp3的源极、Mp4的源极、Mp3的衬底、Mp4的衬底均与电源Vdd相连;所述Mp3的栅极连接所述电阻R1的一端,所述电阻R1的另一端连接尾电流源偏置电压Vbias,所述电阻R2的一端连接所述Mp4的栅极,所述电阻R2的另一端连接所述尾电流源偏置电压Vbias。 | ||
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