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发明名称 ENHANCED MOBILITY NMOS AND PMOS TRANSISTORS USING STRAINED Si/SiGe LAYERS ON SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATES
摘要
申请公布号 KR100501849(B1) 申请公布日期 2005.07.20
申请号 KR20020026453 申请日期 2002.05.14
申请人 发明人
分类号 H01L27/08;H01L27/12;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/088;H01L27/092;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/12 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
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