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一种形成沟槽分隔结构之方法，该方法包含：在基材中形成复数个沟槽；以氧气扩散障壁层覆盖该复数个沟槽中之至少一个沟槽；在该复数个沟槽中之一个或多个沟槽的可氧化内表面部分上选择性形成热氧化物，同时以该氧气扩散障壁层覆盖该复数个沟槽中之至少一个沟槽；以及进一步包含去除覆盖该至少一个沟槽之该氧气扩散障壁层，以及热氧化该先前被覆盖的沟槽之可氧化内表面部分。一种形成沟槽分隔结构之方法，该方法包含：在基材中形成复数个沟槽；以氧气扩散障壁层覆盖该复数个沟槽中之至少一个沟槽；在该复数个沟槽中之一个或多个沟槽的可氧化内表面部分上选择性形成热氧化物，同时以该氧气扩散障壁层覆盖该复数个沟槽中之至少一个沟槽；以及进一步包含去除该氧气扩散障壁层，以及以第二氧气扩散障壁层覆盖该一个或多个沟槽中之至少一个沟槽，以便实质上防止在由该第二氧气扩散障壁层所覆盖的该至少一个沟槽之侧壁上进一步的氧化物生长。如申请专利范围第1或2项之方法，进一步包含在选择性形成热氧化物之前，先在该基材上沈积绝缘层以填充该复数个沟槽。如申请专利范围第3项之方法，进一步包含在惰性环境中对该基材进行热处理，以便增加该绝缘层的密度。如申请专利范围第1或2项之方法，其中该氧气扩散障壁层包含无法氧化的材料。如申请专利范围第5项之方法，其中该无法氧化的材料包含氮化矽及氮氧化矽之至少其中一者。如申请专利范围第1或2项之方法，其中该氧气扩散障壁层包含可氧化材料。如申请专利范围第7项之方法，其中该氧气扩散障壁层的厚度系经过选择，以便实质上避免在形成该热氧化物期间该可氧化材料的完全氧化。如申请专利范围第3项之方法，其中该绝缘层系由氧化物构成。一种控制半导体装置中之沟槽分隔结构的圆角程度之方法，该方法包含：热氧化以绝缘材料填充的第一分隔沟槽的内表面之部分，同时以牺牲氧气扩散障壁层覆盖以绝缘材料填充的第二分隔沟槽；以及进一步包含在热氧化该第一沟槽之部分之后，去除该氧气扩散障壁层，并在该第一及第二沟槽内形成热氧化物层。一种控制半导体装置中之沟槽分隔结构的圆角程度之方法，该方法包含：热氧化以绝缘材料填充的第一分隔沟槽的内表面之部分，同时以牺牲氧气扩散障壁层覆盖以绝缘材料填充的第二分隔沟槽；以及进一步包含去除该氧气扩散障壁层；形成第二氧气扩散障壁层，以覆盖该第一沟槽；以及热氧化该第二沟槽之表面部分。如申请专利范围第10或11项之方法，进一步包含在热氧化该第一沟槽之部分之前，先在该第一及第二沟槽内形成热氧化物层。如申请专利范围第10或11项之方法，进一步包含于非氧化环境中对该沟槽分隔结构进行热处理，以便增加该第一及第二沟槽中之介电氧化物的密度。如申请专利范围第10或11项之方法，进一步包含于氧化环境中对该沟槽分隔结构进行热处理，以便增加该绝缘材料的密度，并在该第一及第二沟槽内形成热氧化物。如申请专利范围第11项之方法，其中系针对该第一及第二沟槽中之每一沟槽而控制曝露于氧化环境的总量，以便在符合第一及第二设计厚度的情形下，得到该第一沟槽中之该热氧化物层的第一厚度、及该第二沟槽中之该热氧化物层的第二厚度。如申请专利范围第10或11项之方法，其中该氧气扩散障壁层包含无法氧化的材料。如申请专利范围第10或11项之方法，其中该无法氧化的材料包含氮化矽及氮氧化矽之至少其中一者。如申请专利范围第10或11项之方法，其中该氧气扩散障壁层包含可氧化材料。如申请专利范围第18项之方法，其中该氧气扩散障壁层的厚度系经过选择，以便大致避免在形成该热氧化物期间该可氧化材料的完全氧化。如申请专利范围第10或11项之方法，其中该绝缘层系由氧化物构成。如申请专利范围第2或11项之方法，其中该第二氧气扩散障壁包括无法氧化的材料。 |
