一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法

摘要

一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法，采用非平衡磁控溅射设备进行，其具体作法是：A.清洗；B.沉积铬过渡层；C.沉积多层氮化铬薄膜。真空室中通入高纯度压强为0.65×10^－1Pa～5×10^－1Pa的氩气；同时在真空室中高纯度压强为0.65×10^－1～5×10^－1Pa的氮气作为反应气体；先在工件上加－150～－4000V的负偏压，打开铬靶溅射电源，沉积一层压应力氮化铬薄膜；然后，在工件上加0～－100V的负偏压，再次打开铬靶溅射电源，再沉积一层拉应力的氮化铬薄膜，重复2～40次。该方法操作简单、成本低廉；采用该方法制备的氮化铬薄膜厚度大，硬度高、膜基结合力良好、致密度高、表面光洁和耐腐蚀性强。

主权项

1、一种低应力氮化铬多层硬质薄膜的制备方法，采用非平衡磁控溅射设备进行，其具体作法是：A、清洗将工件放置于非平衡磁控溅射设备的真空室的样品台上，关闭真空室，真空抽至3.0×10-3Pa后，通入氩气，对工件进行氩等离子溅射清洗。B、沉积铬过渡层打开铬靶溅射电源，在工件表面沉积50～150nm厚的铬过渡层，然后关闭靶溅射电源；C、沉积多层氮化铬薄膜真空室中通入纯度为99.99％以上，压强为0.65×10-1Pa～5×10-1Pa的氩气；同时在真空室中通入纯度为99.99％以上，压强为0.65×10-1Pa～5×10-1Pa的氮气作为反应气体；在工件上加-150～-4000V的负偏压，打开铬靶溅射电源，沉积出厚度为35nm～500nm的一层压应力的氮化铬薄膜；然后，在工件上加0～-100V的负偏压，再次打开铬靶溅射电源，再沉积出厚度为100nm～500nm的一层拉应力的氮化铬薄膜。