Bipolares Halbleiterbauelement mit einer Tief-Ladungsausgeglichenen-Struktur

摘要

Verschiedene Implementierungen eines bipolaren Halbleiterbauelements, das eine Tief-Ladungsausgeglichene-Struktur aufweist, sind offengelegt. Ein solches Bauelement umfasst eine Drift-Region mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, die sich über einer Anodenschicht mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp befindet. Das Bauelement umfasst auch einen Steuerungsgraben, der sich durch eine Inversionsregion mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp in die Drift-Region erstreckt und durch eine Kathodendiffusion mit dem ersten Leitfähigkeitstyp begrenzt ist. Zusätzlich umfasst das Bauelement eine tiefe Untergraben-Struktur, die sich unter dem Steuerungsgraben befindet. Die tiefe Untergraben-Struktur umfasst eine oder mehrere erste Leitfähigkeitsregionen mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und eine oder mehrere zweite Leitfähigkeitsregionen mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei die eine oder die mehreren ersten Leitfähigkeitsregionen und die eine oder die mehreren zweiten Leitfähigkeitsregionen ausgebildet sind, um die tiefe Untergraben-Struktur im Wesentlichen ladungsauszugleichen. Bei einer Implementierung ist das bipolare Halbleiterbauelement ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT).