| 主权项 |
一种用于形成一直接晶片安装装置之方法，包括如下步骤：将一电子晶片安装至一引线框结构，其中该电子晶片包括一结合衬垫；将一导电凸块安装至该结合衬垫；将该电子晶片及引线框结构置放入一模制设备中，其中该模制设备具有一井部分，该井部分具有一耦接至该井部分之一第一表面之可移除插脚；使该可移除插脚与该导电凸块接触；藉由一封装材料来模制该电子晶片，其中该可移除插脚遮蔽该导电凸块，以在该导电凸块上之封装材料中提供一开口，且其中该导电凸块被嵌入该开口之内；且之后形成一叠加于该导电凸块上之障壁层。如请求项1之方法，其中将该电子晶片及该引线框结构置放入该模制设备中之该步骤包括：将该电子晶片及该引线框结构置放入该模制设备中，其中该井部分具有耦接至该第一表面之复数个可移除插脚。如请求项1之方法，进一步包括将一焊料球耦接至该开口内的该电子晶片之步骤。如请求项1之方法，其中将该电子晶片及该引线框结构置放入该模制设备中之该步骤包括：将该电子晶片及该引线框结构置放入该模制设备中，其中该可移除插脚具有一扁平上表面及圆化的上边缘。一种用于形成一覆晶装置之方法，包括如下步骤：将一子总成置放入一具有一腔体的模制设备内，其中该子总成包括一安装至一支撑基板之电子晶片，且其中该电子晶片具有一耦接至该电子晶片之第一导电栓；使该第一导电栓与一该腔体内之第一阻塞装置接触；将一封装材料注入该腔体内以封装该电子晶片，其中该第一阻塞装置遮蔽该第一导电栓以在该覆晶装置中形成一开口，其中该开口包含一斜面化边缘，且其中该第一导电栓被嵌入该开口之内；及形成一叠加于该第一导电栓上之障壁层。如请求项5之方法，进一步包括将一焊料球藉由该开口安装至该覆晶装置之步骤。如请求项5之方法，其中该接触步骤包括：使该第一导电栓与一具有一扁平上表面及圆化上边缘之可移除插脚接触，以形成该斜面化边缘。如请求项5之方法，其中置放该子总成之该步骤包括：置放一具有一安装至一支撑基板之电子晶片之子总成，其中该支撑基板包括一旗标。一种用于形成一半导体装置的方法，其特征在具有以下步骤：将一子总成置放入一具有一腔体的模制设备内，其中该子总成包括一安置于一支撑基板之电子晶片，且其中该电子晶片具有一与其耦接之第一导电栓，且其中该支撑基板进一步包括一旗标，该旗标具有一与其耦接之第二导电栓；使该第一导电栓与该腔体内之一第一可移除插脚接触；使该第二导电栓与该腔体内之一第二可移除插脚接触；将一封装材料注入该腔体内以封装该电子晶片及该旗标，其中该第一可移除插脚遮蔽该第一导电栓以形成一第一开口，该第一开口具有在该封装材料中之一斜面化边缘且叠加于该第一导电栓上，且其中该第二可移除插脚遮蔽该第二导电栓以形成一第二开口，该第二开口具有在该封装材料中之一斜面化边缘且叠加于该第二导电栓上；形成叠加于该第一及第二导电栓上之一导电障壁层；将一第一焊料球藉由该第一开口安装至该第一导电栓，其中该第一开口之该斜面化边缘经组态以增强在该第一开口内之该第一焊料球之对准；且将一第二焊料球藉由该第二开口安装至该第二导电栓，其中该第二开口之该斜面化边缘经组态以增强在该第二开口内之该第二焊料球之对准。如请求项9之方法，其中形成叠加于该第一及第二导电栓上之该导电障壁层之该步骤包括：形成一包含镍之导电障壁层。 |
