发明名称 POINT CONTACTS FOR SEMICONDUCTORS AND THE PRODUCTION THEREOF
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Punktkontakten zwischen einem Halbleiter und einem Elektronenleiter. Das erfindungsgemässe Verfahren macht sich eine vorherige Reduzierung einer Metallteilchen umfassenden Lösung zunutze, die beim Eintauchen eines Halbleiters in diese reduzierte Lösung ein Entstehen von Oberflächenzuständen regelmässig verhindert.
申请公布号 WO02056339(A2) 申请公布日期 2002.07.18
申请号 WO2002DE00021 申请日期 2002.01.05
申请人 MEISSNER, DIETER 发明人 MEISSNER, DIETER
分类号 H01L21/288;H01L31/0224;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L21/288
代理机构 代理人
主权项
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