| 主权项 |
一种垫结构，包括：一第一含金属层，形成于一基板上；一第一保护层，形成于该第一含金属层上，该第一保护层具有一第一开口，其露出部分的该第一含金属层；一垫层，形成于该第一保护层上，且覆盖该第一开口，该垫层包括一探测区域以及一接合区域，该探测区域用来接触一探针，而该接合区域用来接合一导线，其中该探测区域经由该第一开口与该第一含金属层接触，该接合区域位于部分的该第一保护层的上方；以及一导电图案，穿过于该第一保护层之中，用以连接该接合区域及该第一含金属层。如申请专利范围第1项所述之垫结构，更包括一第二含金属层，形成于该第一含金属层下方并邻接于该第一含金属层，其中该二含金属层包括一电路图案，设于接合区域的下方。如申请专利范围第2项所述之垫结构，其中该电路图案更设于该探测区域的下方。如申请专利范围第1项所述之垫结构，其中该导电图案密封位于该接合区域下方的该第一保护层。如申请专利范围第1项所述之垫结构，其中该导电图案包括一导电接触孔阵列。如申请专利范围第1项所述之垫结构，更包括一第二保护层，形成于该第一保护层上方，该第二保护层包括一第二开口，其露出该探测区域以及该接合区域。一种垫结构，包括：一第一含金属层，形成于一基板上，该第一含金属层包括一电路图案；一第二含金属层，形成于该第一含金属层上方并邻接于该第一含金属层；一第一保护层，形成于该第二含金属层上，该第一保护层具有一第一开口，其露出部分的该第二含金属层；一垫层，形成于该第一保护层上，且覆盖该第一开口，该垫层包括一探测区域以及一接合区域，该接合区域位于部分的该第一保护层的上方，其中该探测区域经由该第一开口与该第二含金属层接触，并且该电路图案设于该接合区域的下方；一第二保护层，形成于该第一保护层上方，该第二保护层包括一第二开口，其露出该探测区域以及该接合区域；以及一导电图案，穿过该第一保护层之中，用以连接该接合区域及该第二含金属层。如申请专利范围第7项所述之垫结构，其中该导电图案密封位于该接合区域下方的该第一保护层。如申请专利范围第7项所述之垫结构，其中该导电图案包括一导电接触孔阵列。如申请专利范围第7项所述之垫结构，其中该电路图案更设于该探测区域的下方。一种垫结构的形成方法，包括：形成一第一含金属层于一基板上；形成一第一保护层于该第一含金属层上，该第一保护层具有一第一开口，其露出部分的该第一含金属层；形成一垫层于该第一保护层上，且覆盖该第一开口，该垫层包括一探测区域以及一接合区域，该探测区域用来以一探针接触，而该接合区域用来接合一导线，其中该探测区域经由该第一开口与该第一含金属层接触，该接合区域位于部分的该第一保护层的上方；以及形成至少一导电图案，穿过于该第一保护层之中，用以连接该接合区域及该第一含金属层。如申请专利范围第11项所述之垫结构的形成方法，更包括形成至少一导电图案，穿过于该第一保护层之中，密封位于该接合区域下方的该第一保护层。如申请专利范围第11项所述之垫结构的形成方法，更包括形成导电接触孔阵列，穿过于该第一保护层之中，用以连接该接合区域及该第一含金属层。如申请专利范围第11项所述之垫结构的形成方法，更包括形成一第二含金属层于该第一含金属层下方并邻接于该第一含金属层，其中该二含金属层包括一电路图案，设于接合区域的下方。如申请专利范围第14项所述之垫结构的形成方法，其中该电路图案更设于该探测区域的下方。如申请专利范围第11项所述之垫结构的形成方法，更包括形成一第二保护层于该第一保护层上方，该第二保护层包括一第二开口，其露出该探测区域以及该接合区域。如申请专利范围第11项所述之垫结构的形成方法，更包括：利用一测试探针与该探测区域接触；以及利用一导线接合于该接合区域。 |
