| 主权项 |
一种具有矽质载板之白光发光二极体封装结构，其包含有：一矽质载板，该矽质载板之上表面具有复数个凹杯结构，其中相邻之各该凹杯结构之间距小于10微米；一反射层，覆盖于该矽质载板之上表面；一透明绝缘层，覆盖于该反射层上；复数个金属凸块，设置于各该凹杯结构内之该透明绝缘层上；复数个电极，设置于相邻之各该凹杯结构之间；复数个蓝光二极体，该等蓝光二极体具有复数个不同之波长范围，并分别设置于各该凹杯结构中之该金属凸块上，且该等蓝光二极体电连接至该等电极；以及一萤光体结构，覆盖于该矽质载板之该等凹杯结构上，该萤光体结构包含有复数种萤光粉与一封胶材料，且各该种萤光粉系分别用来将各该具有不同波长范围之蓝光二极体所发出之蓝光转化为黄光。如申请专利范围第1项所述之白光发光二极体封装结构，其中各该凹杯结构之上视图形系为几何图形。如申请专利范围第1项所述之白光发光二极体封装结构，其中该等凹杯结构系呈阵列方式排列。如申请专利范围第1项所述之白光发光二极体封装结构，其中该等蓝光二极体之波长范围包含有450±5nm、460±5nm或470±5nm三种规格。如申请专利范围第1项所述之白光发光二极体封装结构，其中该萤光体结构系为一平顶金字塔形状，且该平顶金字塔形状之上表面系为平坦的，侧壁为倾斜的。如申请专利范围第1项所述之白光发光二极体封装结构，其中各该凹杯结构之侧壁系为倾斜的。如申请专利范围第1项所述之白光发光二极体封装结构，其中该反射层系为金属或光学镀膜。一种制作具有矽质载板之白光发光二极体封装结构的方法，其包含有：提供一晶圆，并利用一蚀刻制程于该晶圆之上表面形成复数个凹杯结构，其中相邻之各该凹杯结构之间距小于10微米；形成一反射层于该晶圆之上表面；形成一透明绝缘层于该反射层上；形成复数个金属凸块于各该凹杯结构底部之该透明绝缘层上与复数个电极于相邻之各该凹杯结构间之该透明绝缘层上；将复数个蓝光二极体分别与各该凹杯结构底部之各该金属凸块接合，并且将复数个蓝光二极体分别与各该电极电性连接，其中该等蓝光二极体具有不同之波长范围；以及将对应各等蓝光二极体之波长范围之萤光粉混合并加入一封胶材料，然后利用一封胶制程于该等凹杯结构上形成一萤光体结构。如申请专利范围第8项所述之方法，其中各该凹杯结构系具有倾斜之侧壁。如申请专利范围第9项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用反应离子蚀刻技术。如申请专利范围第9项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用交替蚀刻法之电浆离子蚀刻技术。如申请专利范围第9项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用氢氧化钾溶液为蚀刻液之一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第9项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用氢氧化四甲基铵为蚀刻液之一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第9项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用乙二胺邻苯二酚为蚀刻液之一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该反射层系利用溅镀、蒸镀或化学沉积方式形成于该晶圆上。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该透明绝缘层系利用溅镀、蒸镀或化学沉积方式形成于该晶圆上。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该等金属凸块系利用举离法形成于该透明绝缘层上。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该等金属凸块系利用电镀法形成于该透明绝缘层上。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该等蓝光二极体系利用玻璃胶黏结法与该等金属凸块接合。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该封胶制程系为一成型制程。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该封胶制程系为一点胶制程。一种制作具有矽质载板之白光发光二极体封装结构的方法，其包含有：提供一晶圆，并利用一蚀刻制程于该晶圆之上表面形成复数个凹杯结构，其中相邻之各该凹杯结构之间距小于10微米；形成一反射层于该晶圆之上表面；形成一透明绝缘层于该反射层上；形成一导电图层于该透明绝缘层上；将复数个蓝光二极体分别与各该凹杯结构底部之该导电图层接合，其中该等蓝光二极体具有不同之波长范围；以及将对应各等蓝光二极体之波长范围之萤光粉混合并加入一封胶材料，然后利用一封胶制程于该等凹杯结构上形成一萤光体结构。如申请专利范围第22项所述之方法，其中各该凹杯结构系具有倾斜之侧壁。如申请专利范围第23项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用反应离子蚀刻技术。如申请专利范围第23项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用交替蚀刻法之电浆离子蚀刻技术。如申请专利范围第23项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用氢氧化钾溶液为蚀刻液之一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第23项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用氢氧化四甲基铵为蚀刻液之一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第23项所述之方法，其中制作该等凹杯结构之倾斜侧壁之该蚀刻制程包含有使用乙二胺邻苯二酚为蚀刻液之一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该反射层系利用溅镀、蒸镀或化学沉积方式形成于该晶圆上。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该透明绝缘层系利用溅镀、蒸镀或化学沉积方式形成于该晶圆上。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该导电图层系利用举离法形成于该透明绝缘层上。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该导电图层系利用电镀法形成于该透明绝缘层上。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该等蓝光二极体系利用覆晶接合方式与该导电图层接合。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该封胶制程系为一成型制程。如申请专利范围第22项所述之方法，其中该封胶制程系为一点胶制程。 |
