| 发明名称 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在栅电极上，并具有暴露至少一部分栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由开口暴露的栅电极，并具有大于第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在第二栅极绝缘膜的中心区域，并在其之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在沟道区中。还提供了一种制造TFT基板的方法。因此，本发明提供了一种TFT基板，其中TFT的特性被改进。 | ||
| 申请公布号 | CN1905232A | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200610103288.0 | 申请日期 | 2006.07.24 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金保成;金洙真;金泳敏;宋根圭;李容旭;洪雯杓;崔泰荣;吴俊鹤 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01);H01L51/10(2006.01);H01L51/40(2006.01);H01L27/28(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；栅电极，形成在所述绝缘基板上；第一栅极绝缘膜，形成在所述栅电极上，并具有暴露至少一部分所述栅电极的开口；第二栅极绝缘膜，覆盖由所述开口暴露的所述栅电极，并具有大于所述第一栅极绝缘膜的介电常数；源电极和漏电极，彼此分开布置在所述第二栅极绝缘膜的中心区域，并在所述源电极和所述漏电极之间限定了沟道区；以及有机半导体层，形成在所述沟道区中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||