| 发明名称 | 绝缘结构及其形成方法、以及浅沟槽绝缘结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘结构的形成方法，其包括以下步骤：(a)于基底中形成开口；(b)沿着该开口顺应性的形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及(c)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。 | ||
| 申请公布号 | CN101118870A | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
| 申请号 | CN200710002274.4 | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡正原;林志隆;薛正诚 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高龙鑫 |
| 主权项 | 1.一种绝缘结构的形成方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(a)于基底中形成开口；(b)沿着该开口顺应性地形成材料层，该材料层包括以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层；以及(c)于该以四乙氧基硅烷为反应物的氧化层上形成介电层，且该介电层填入该开口中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||