发明名称 BGA型半导体装置的制造方法、BGA型半导体装置用TAB带及BGA型半导体装置
摘要 "__"型的缝隙与连接部分被事先设置,以环绕TAB带中的半导体晶片黏着区。将半导体晶片放置于半导体晶片黏着区。藉由接合,而将半导体晶片的电极垫连接至TA B带的内引脚。接合部分被施以塑胶成形。焊料球被设置于对应半导体晶片黏着部分之TAB带的背面。其次,在缝隙连接部分的切割位置切割封装物部分。藉由上述结构的优点,可制造高可靠度BGA型半导体装置,并减少厚度及尺寸。
申请公布号 TW419756 申请公布日期 2001.01.21
申请号 TW088110595 申请日期 1999.06.23
申请人 日立电线股份有限公司 发明人 佐藤巧;冈部则夫;龟山康晴;齐藤贤彦
分类号 H01L21/50 主分类号 H01L21/50
代理机构 代理人 陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼;林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1.一种用于制造BGA(球型格式阵列)型半导体装置的方法,其包含的步骤有:形成开口于TAB(卷带式自动接合)带中之各晶片黏着区周围,并留下用于将晶片黏着区连接至其他区域的连接部份;将半导体晶片黏着于TAB带中的各晶片黏着区上;藉由接合而将半导体晶片的各电极垫连接至TAB带的导线图案;将半导体晶片与电极垫间的接合连接处以树脂进行垫胶成形;设置焊料球于对应晶片黏着部分之TAB带背面上;以及切割连接部分,以提供分离的半导体装置。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该开口系为具有至少一连接部分的缝隙。3.如申请专利范围第1项之方法,其中TAB带中的晶片黏着区系为具有相对第一与第三边以及相对第二与第四边的长方形区域,而该接合连接处被放置于第一与第三边,而该连接部分则被放置于第二与第四边。4.如申请专利范围第1项之方法,其中TAB带中的晶片黏着区系为具有相对第一与第三边以及相对第二与第四边的长方形区域,而该树脂密封部分被放置于第一与第三边,该连接部分则被放置于第二与第四边。5.一种用于BGA型半导体装置的TAB带,其包含大量设置于晶片黏着区中的料球黏着孔,其中一开口被设置于晶片黏着区周围,并留下一用于连接晶片黏着区至其他区域的连接部分。6.如申请专利范围第5项之TAB带,其中该开口系为具有至少一连接部分的缝隙。7.如申请专利范围第5项之TAB带,其中TAB带中的晶片黏着区系为具有相对第一与第三边以及相对第二与第四边的长方形区域,而该连接部分被放置于第一至第四边的中心部分。8.一种GAB型半导体装置,其系由以下的方法制造,该方法包含的步骤有:提供一用于BGA型半导体装置的TAB带,其包含大量设置于晶片黏着区中的焊料球黏着孔,设置于晶片黏着区周围的一开口,并留下一用于将晶片黏着区连接至其他区域的连接部分;将半导体晶片黏着于TAB带中的各晶片黏着区上;藉由接合将半导体晶片的各电极垫连接至TAB带的导线图案;将半导体晶片与电极垫之间的接合连接处以树脂进行垫胶成形;将焊料球黏着于TAB带中的焊料球黏着孔,以及切断该连接部份,以提供分离的半导体装置。图式简单说明:第一图系表示以用于制造BGA型半导体装置的传统方法所制造的半导体装置的平面图;第二图系穿经图1之线B-B的横截面图;第三图系表示图1之BGA型半导体装置中之半导体晶片黏着区的细部结构的横截面图;第四图表示以根据本发明之第一个较佳实施例之用于制造BGA型半导体装置的方法所制造的半导体装置的平面图;第五图系穿经图4之线A-A的横截面图。
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