| 发明名称 | 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片 | ||
| 摘要 | 提供氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片，其能够抑制在减小厚度操作期间在晶体上出现裂缝，以及能够生长具有相当大厚度的氮化镓晶体。在本发明一个方面的氮化镓晶体生长方法是，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，并且通过氢化物气相外延(HVPE)在下衬底上生长氮化镓晶体的方法。该氮化镓晶体生长方法的特征在于，在氮化镓晶体生长期间载气露点为－60℃或以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101353819A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810131104.0 | 申请日期 | 2008.07.28 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 藤田俊介 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B25/02(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种氮化镓晶体生长方法，其中，采用载气、氮化镓前驱物和含作为掺杂剂的硅的气体，通过氢化物气相外延在下衬底上生长氮化镓晶体，该方法的特征在于，在所述氮化镓晶体生长期间所述载气的露点为-60℃或以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||