| 发明名称 | 成膜装置的排气系统结构、成膜装置和排出气体的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明的成膜装置(100)具有处理容器(11)，向处理容器(11)内供给TiCl<SUB>4</SUB>气体和NH<SUB>3</SUB>气体，利用CVD在配置于处理容器(11)内的基板(W)上形成TiN膜。在处理容器(11)中设置有排气系统结构(300)。该排气系统结构(300)包括：排出处理容器(11)内的排出气体的排气管(51)；设置于排气管(51)上用于捕捉排出气体中的副产物的捕集结构(54)；和加热反应气体供给机构(60)，在对用于与排出气体中的成分反应得到规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。从加热反应气体供给机构(60)供给NH<SUB>3</SUB>气体作为加热反应气体，生成NH<SUB>4</SUB>Cl作为副产物。 | ||
| 申请公布号 | CN101356298A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200780001294.8 | 申请日期 | 2007.04.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 津田荣之辅 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种成膜装置的排气系统结构，其为向处理容器内供给处理气体、利用CVD在配置于处理容器内的基板上形成膜的成膜装置的排气系统结构，其特征在于，包括：与所述处理容器连接、排出处理容器内的排出气体的排气管；设置于所述排气管上、用于捕捉排出气体中的副产物的捕集机构；和加热反应气体供给机构，在对用于与所述排出气体中的成分反应生成规定副产物的反应气体进行加热后的状态下，向排出气体中供给该反应气体。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||