肖特基型室温核辐射探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种肖特基型室温核辐射探测器，包括以GaN基底形成的肖特基结构、肖特基电极和欧姆电极，其特征在于：所述GaN基底为厚膜结构，其厚度为100um～200um，所述肖特基电极和欧姆电极分别位于GaN基底的两侧表面上。由于本发明使用的GaN材料具有宽禁带宽度、高电阻率、大原子序数、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能，制备的室温核辐射探测器具有良好的室温灵敏度、探测效率和稳定性，更适用于强辐射场的探测领域。同时，本发明的制造工艺简单，成本低廉，适于工业化推广。

主权项

1.一种肖特基型室温核辐射探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)采用MOCVD法，在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜，薄膜厚度在1um～4um之间；2)将上述GaN薄膜作为新的衬底，生长GaN单晶厚膜；3)当GaN单晶厚膜厚度为100um～200um时，生长结束，进行降温，使GaN单晶厚膜从衬底上分离，得到GaN单晶衬底；4)在上述GaN单晶衬底的一面生长n-GaN(Si)薄膜，Si离子掺杂浓度为5×1017/cm3～5×1019/cm3，形成n型掺杂层，厚度为1um～3um；5)在上述n型掺杂层上沉积10nm～30nm的Ti/Au，制成欧姆电极；再在另一面上沉积10nm～30nm的Pd或Au，制成肖特基电极；6)经钝化、封装后制成肖特基型GaN室温核辐射探测器。