| 发明名称 | 具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有存储器功能的场效应晶体管及其三维集成方法，由上选择管和下选择管及中间的存储单元组成三维结构，且所有的晶体管均为竖直结构，与水平晶体管相比竖直晶体管的布局面积更小，从而可以提高RRAM的集成密度，进一步降低成本。该方法包括：在衬底上依次沉积SiO2、下选择管的重掺杂多晶硅控制栅层、SiO2，通过反应离子刻蚀SiO2、多晶硅、SiO2层形成下选择管的沟道区域；顺序沉积多晶硅层和SiO2层，反应离子刻蚀沉积的SiO2和多晶硅层，形成存储单元的沟道通孔；沉积上选择管的重掺杂多晶硅控制栅层和SiO<sub>2</sub>，通过反应离子刻蚀多晶硅层和SiO<sub>2</sub>层，形成上选择管的沟道区域。 | ||
| 申请公布号 | CN103904118B | 申请公布日期 | 2016.08.31 |
| 申请号 | CN201410085379.0 | 申请日期 | 2014.03.10 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 刘力锋;张伟兵;后羿;高滨;韩德栋;王漪;刘晓彦;康晋锋 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种具有存储器功能的场效应晶体管的三维集成方法，其特征在于，包括：在衬底上依次沉积SiO<sub>2</sub>、下选择管的重掺杂多晶硅控制栅层、SiO<sub>2</sub>，通过反应离子刻蚀SiO<sub>2</sub>、多晶硅、SiO<sub>2</sub>层形成下选择管的沟道区域；顺序沉积多晶硅层和SiO<sub>2</sub>层，反应离子刻蚀沉积的SiO<sub>2</sub>和多晶硅层，形成存储单元的沟道通孔；沉积上选择管的重掺杂多晶硅控制栅层和SiO<sub>2</sub>，通过反应离子刻蚀多晶硅层和SiO<sub>2</sub>层，形成上选择管的沟道区域。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||