RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, AND PROCESS FOR FORMING SILICON-CONTAINING THIN FILM USING SAME

摘要

본 발명의 화학 기상 성장용 원료는 HSiCl(NRR)(NRR)(R, R은 탄소수 1~4의 알킬기 또는 수소를 나타내고, R, R는 탄소수 1~4의 알킬기를 나타낸다)로 표시되는 유기 실리콘 함유 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이며, 기체상에 화학 기상 성장법에 의해 질화 실리콘 박막을 형성하는 원료로서 특히 적합하게 사용할 수 있다. 본 발명의 화학 기상 성장용 원료를 사용하면, 300~500℃의 저온에서의 성막이 가능하다.