Method of CVD deposition of SiO2 layers with local and global planarization on structured silicon substrates.

摘要

Bei der ozonaktivierten Abscheidung von Isolationsschichten können auf unterschiedlich beschaffenen Oberflächen unterschiedliche Aufwachsraten erzielt werden. Sind die auf unterschiedlichem Niveau liegenden Oberflächen der strukturierten Siliziumsubstrate derart unterschiedlich beschaffen bzw. werden gezielt so verändert, daß die SiO2-Isolationsschicht (4, 5) auf den höherliegenden Oberflächen langsamer als auf den tieferliegenden aufwächst und wird so lange abgeschieden, bis die Oberflächen der schnellwachsenden (5) und der langsamwachsenden (4) Schichtbereiche eine stufenlose, planare Ebene bilden, wird eine lokale und globale Planarisierung erreicht. <IMAGE>