场发射器件,其制造方法及使用它的显示器件

摘要

一种场发射器件(FED)包括无定形衬底;杂质扩散防止层;在无定形硅或多晶硅制成的半导体层的一个形成表面上形成的FET;通过蚀刻FET漏区的半导体层制成的一个或多个发射极;以及集电极。半导体层由CVD工艺制成。在环形或多边形FET漏区内形成发射极阵列,该阵列被环形或多边形栅极和源极所包围。整个FET区由绝缘层和金属层覆盖。此结构在发射极芯片中提供了均匀的电流发射特性,实现了沿所有方向的均匀电子发射。把本FED应用于平板显示器件实现了高的画面质量、低功耗和低制造成本。

主权项

1．一种场发射器件，其特征在于包括：在衬底上形成的半导体层；包括绝缘层和电极的场效应晶体管；在所述场效应晶体管的漏区和与漏区接触的所述半导体层的一部分这两者之一上形成的至少一个发射极。