发明名称 一种微波真空金属镀膜装置
摘要 本实用新型涉及一种微波真空金属镀膜装置,具体地讲它是一种主要适用于在半导体芯片、光电子芯片等基板上镀覆金属导电膜、光反射膜以及金属化合物膜的装置,它属于金属淀积技术领域。本实用新型是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成,等离子室的顶端封盖一个微波窗,镀膜室的底端安置一个底盖,镀膜室的内部安置一个摇杆式升降机构,摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣,摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。
申请公布号 CN201390780Y 申请公布日期 2010.01.27
申请号 CN200820225565.X 申请日期 2008.11.15
申请人 张敬祎;高秀敏 发明人 张敬祎;高秀敏
分类号 C23C14/24(2006.01)I 主分类号 C23C14/24(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1、一种微波真空金属镀膜装置,它是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成,其特征在于等离子室的顶端封盖一个微波窗,镀膜室的底端安置一个底盖,镀膜室的内部安置一个摇杆式升降机构,摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣,摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。
地址 266042山东省青岛市机械研究所