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发明名称
一种微波真空金属镀膜装置
摘要
本实用新型涉及一种微波真空金属镀膜装置,具体地讲它是一种主要适用于在半导体芯片、光电子芯片等基板上镀覆金属导电膜、光反射膜以及金属化合物膜的装置,它属于金属淀积技术领域。本实用新型是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成,等离子室的顶端封盖一个微波窗,镀膜室的底端安置一个底盖,镀膜室的内部安置一个摇杆式升降机构,摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣,摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。
申请公布号
CN201390780Y
申请公布日期
2010.01.27
申请号
CN200820225565.X
申请日期
2008.11.15
申请人
张敬祎;高秀敏
发明人
张敬祎;高秀敏
分类号
C23C14/24(2006.01)I
主分类号
C23C14/24(2006.01)I
代理机构
代理人
主权项
1、一种微波真空金属镀膜装置,它是由等离子室、离子轰击室、过渡室、镀膜室自上而下依次连接构成,其特征在于等离子室的顶端封盖一个微波窗,镀膜室的底端安置一个底盖,镀膜室的内部安置一个摇杆式升降机构,摇杆式升降机构的上部连接一个托有加热盘的短路钣,摇杆式升降机构的摇杆穿过镀膜室的底盖。
地址
266042山东省青岛市机械研究所
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