| 摘要 |
질화물 반도체 소자 및 그의 제조 방법이 제공된다. 본 질화물 반도체 소자의 제조 방법은 기판상에 질화갈륨층을 성장시키고, 질화갈륨층상에 기설정된 도핑 농도를 갖는 제1 질화물층을 성장시키며, 제1 질화물층을 식각하여 질화갈륨층상에 소스 영역, 드레인 영역 및 소스 영역과 드레인 영역 사이를 연결하는 핀 모양 채널층을 형성하고, 소스 영역 및 드레인 영역의 도핑 농도를 높이며, 채널층을 감싸는 절연층을 형성하고, 소스 영역 및 드레인 영역에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하고, 절연층을 감싸는 제3 전극을 형성한다. |
