| 发明名称 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种衬底，其具有由具有多型4H的六方形单晶结构的半导体制成的表面（SR）。通过交替地设置具有（0-33-8）的平面取向的第一平面（S1）和连接到第一平面（S1）并且具有与第一平面（S1）的平面取向不同的平面取向的第二平面（S2）来构建衬底的表面（SR）。在衬底的表面（SR）上设置有栅绝缘膜。在栅绝缘膜上设置有栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103582950B | 申请公布日期 | 2016.07.20 |
| 申请号 | CN201280025863.3 | 申请日期 | 2012.05.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 增田健良;原田真;和田圭司;日吉透 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 韩峰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种半导体器件(200)，所述半导体器件包括：衬底(290)，所述衬底具有沟槽，该沟槽包含由半导体制成的侧表面(SW)，所述半导体具有多型4H的六方形单晶结构，所述沟槽的所述侧表面沿着(0‑11‑2)的平面取向来延伸并且通过交替地设置第一平面(S1)和第二平面(S2)来被构建，所述第一平面具有(0‑33‑8)的平面取向，所述第二平面连接到所述第一平面并且具有与所述第一平面的所述平面取向不同的平面取向；栅绝缘膜(213)，所述栅绝缘膜被设置在所述沟槽的所述侧表面上；以及栅电极(217)，所述栅电极被设置在所述栅绝缘膜上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||