功率集成器件、包括其的电子器件及电子系统

摘要

一种功率集成器件包括：漂移区，其设置在衬底中；源极区，其设置在衬底中与漂移区间隔开；漏极区，其设置在漂移区中；栅绝缘层和栅电极，其顺序地层叠在源极区与漂移区之间的衬底上；沟槽隔离层，其设置在与漏极区的一侧相邻的漂移区中；以及深沟槽场绝缘层，其设置在与漏极区的另一侧相邻的漂移区中，其中深沟槽场绝缘层的垂直高度大于深沟槽场绝缘层的宽度。

主权项

一种功率集成器件，包括：沟道区，设置在衬底的第一区域中；漂移区，设置在所述衬底的第二区域中并且与所述沟道区相邻；源极区，设置在所述衬底的第三区域中并且耦接至所述沟道区；漏极区，设置在所述漂移区的第一区域中；叠层，包括栅绝缘层和栅电极，并且从所述沟道区之上延伸至所述漂移区之上；沟槽隔离层，设置在所述漂移区的第二区域中并且与所述漏极区的第一侧相邻；以及深沟槽场绝缘层，设置在所述漂移区的第三区域中并且与所述漏极区的第二侧相邻，其中所述漂移区具有与所述沟道区相反的导电性，以及其中所述深沟槽场绝缘层的高度大于所述深沟槽场绝缘层的宽度。