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一种浸润式微影的方法，包括：提供一光阻层在一半导体基底上；使用一浸润式微影曝光系统曝光该光阻层，该浸润式微影曝光系统在曝光时使用一液体；在曝光后及曝后烤前对该光阻层进行一处理步骤，用以去除任何残留之该液体，其中该处理步骤包括使用超临界二氧化碳；曝后烤该光阻层；以及显影该光阻层；其中该处理步骤更包括该曝后烤前之预烤，该预烤温度小于该曝后烤温度，且该预烤温度为该曝后烤温度的80%。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一旋乾步骤。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一种或一种以上乾净的乾空气(CDA)、氮气或氩气来通气清净。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用异丙醇。如申请专利范围第4项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一旋乾步骤。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一界面活性剂液体。如申请专利范围第6项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一旋乾步骤。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用去离子水冲洗。如申请专利范围第8项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一旋乾步骤。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一真空制程。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用酸性溶液冲洗。如申请专利范围第11项所述之浸润式微影的方法，其中该处理步骤更使用一旋乾步骤。一种处理系统，其系与一浸润式微影制程一起使用，包括：一流体注射系统，用以注射一处理流体，该处理流体与该浸润式微影制程所使用之一微影液体不同，其中该流体注射系统包括注射超临界二氧化碳、界面活性剂液体或前述之组合；以及一装置，用以去除该处理流体以及任何残留之该微影液体。如申请专利范围第13项所述之处理系统，其中该流体注射系统更包括注射乾净的乾空气、氮气、氩气或前述之组合。如申请专利范围第14项所述之处理系统，其中该流体注射系统包括一喷嘴，其系由一基底的中心点向该基底的边缘摆动。如申请专利范围第13项所述之处理系统，更包括一旋乾装置。如申请专利范围第13项所述之处理系统，更包括一真空系统。 |
