双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端及制备方法

摘要

本发明公开了一种双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端及其制备方法，其结构是接收前端是双通道设计，其制备方法，包括：1）在QFN6×6-40L标准封装引线框中心金属衬底上用银浆粘接两个氮化铝基板、两个砷化镓低噪放单片；2）在每个氮化铝基板上分别粘接一个大功率、两个中功率PIN二极管芯片；3）三个PIN二极管芯片与氮化铝基板、QFN6×6-40L标准封装引线框管脚间，氮化铝基板、砷化镓低噪放单片与QFN6×6-40L标准封装引线框管脚间均通过键合金丝连接。优点：有效减小了系统电路尺寸，工作安全可靠，满足系统接收通道增益放大，低噪声系数的要求，接收灵敏度高。集成度高成本低，性能优，使用便利。

主权项

一种基于QFN6×6‑40L标准封装的双通道大功率开关低噪放一体化射频接收前端，其特征在于：包含两路收发通道，发射通道（ANT‑TX）采用一个大功率PIN二极管，开关的接收支路采用两个中功率PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路，在开关的接收支路后接由砷化镓低噪放单片构成的接收通道；在QFN6×6‑40L标准封装内制作双通道大功率开关低噪放一体化的接收前端，两个氮化铝基板、两个砷化镓低噪放单片分别粘接在QFN6×6‑40L标准封装引线框中心金属衬底上；在两个氮化铝基板上分别粘接三个PIN二极管芯片构成收发开关切换电路；开关接收支路后级连一个砷化镓低噪放单片构成接收通道；将二极管芯片、砷化镓低噪放单片，氮化铝基板以及上述芯片与QFN6×6‑40L标准封装引线框对应管脚间用金丝键合连接，上述芯片指的是六个PIN二极管芯片、二个砷化镓低噪放单片和二个氮化铝基板。