化合物半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，所述化合物半导体器件包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，其覆盖化合物半导体层的顶部；以及栅电极，其在保护绝缘膜上形成，其中保护绝缘膜具有第一沟槽和与第一沟槽并列形成的第二沟槽，并且其中在化合物半导体层上残存了仅具有一定预定厚度的保护绝缘膜，以及其中栅电极填充进第一沟槽并且栅电极的一端离开第一沟槽并且至少定位在第二沟槽中。

主权项

一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；保护绝缘膜，所述保护绝缘膜覆盖所述化合物半导体层的顶部；以及栅电极，在所述栅电极中在下部处的第一部分和在上部处的比所述第一部分更宽的第二部分一体形成，并且所述第一部分的下表面形成在所述保护绝缘膜上或者在所述化合物半导体层上，其中，所述保护绝缘膜具有第一沟槽和与所述第一沟槽并列形成的非贯通的第二沟槽，以及其中，所述栅电极的第一部分填充进所述第一沟槽，所述栅电极的第二部分覆盖所述保护绝缘膜的上表面的一部分，并且所述第二部分的一端离开所述第一沟槽并且至少定位在所述第二沟槽中。