碳层及制造方法

摘要

本发明提供了一种制造碳层的系统和方法。实施例包括在衬底上沉积第一金属层，该衬底包括碳。在衬底上外延生长硅化物，外延生长硅化物也在硅化物上方形成碳层。在一个实施例中，碳层是石墨烯，并且可以将该碳层转移半导体衬底以进一步处理从而在石墨烯内形成沟道。

主权项

一种用于制造沟道材料的方法，所述方法包括：将第一金属层沉积在衬底上，所述衬底包括碳；以及在所述衬底上外延生长硅化物，外延生长所述硅化物还形成位于所述硅化物上方的碳层，其中，所述碳层是来自于所述第一金属层和所述衬底反应的产物；采用第一退火修复所述碳层，其中，在所述衬底上外延生长所述硅化物后执行修复所述碳层。