一种制备具有相同或近似晶格取向石墨烯的制备装置及方法

摘要

本发明涉及一种制备具有相同或近似晶格取向单晶石墨烯的制备装置及方法。首先在单晶硅表面通过低温生长的方法(样品温度为‑196℃至‑250℃)备金属(铜，铝，等)单晶或者赝晶薄膜(厚度为1nm‑500μm)。然后通过化学气相沉积(CVD)方式将石墨烯生长到金属薄膜表面。CVD过程样品温度为600‑1100摄氏度，真空度为10‑10mbar到2bar。然后将样品降温到室温。这样由于金属薄膜具有基底硅单晶的取向，同样石墨烯具有金属薄膜的晶体取向。所制备的石墨烯具有单晶性质。大小仅受到硅单晶的尺寸所限制。大小可达数十厘米。

主权项

一种制备具有相同或近似晶格取向单晶石墨烯的装置，其特征在于，该装置由基底加热装置(1)、基底冷却装置(2)、基底单晶硅(3)、真空泵系统(4)、气瓶组(5)、气路和控制阀(6)、真空腔(7)及金属源(8)组成。