半导体处理设备

摘要

本发明的半导体处理设备，其包括：进气装置，所述进气装`置包括：第一出气口，其用于向所述待处理衬底输送第一反应气体，第二出气口，其与所述第一出气口在所述出气面间隔设置，所述第二出气口用于向所述待处理衬底输送第二反应气体；和驱动装置，其用于驱动所述待处理衬底依次通过所述第一出气口和第二出气口正对的区域；其中，所述出气面还包括第三出气口，所述第三出气口设置在所述第一出气口和所述第二出气口之间，所述第三出气口用于向所述待处理衬底输送不与所述第一反应气体和所述第二反应气体反应的第三气体。本发明可以降低所述半导体处理设备对所述进气装置与所述待处理衬底之间的间隙的敏感度。

主权项

一种用于处理待处理衬底的半导体处理设备，其包括：腔体，压力控制单元，所述压力控制单元用于控制所腔体内的气压；进气装置，所述进气装置与位于腔体内的待处理衬底相对设置，所述进气装置包括：出气面，所述出气面位于所述腔体内，所述出气面面向所述待处理衬底，所述出气面包括：第一出气口，其用于向所述待处理衬底输送第一反应气体，和第二出气口，其与所述第一出气口在所述出气面间隔设置，所述第二出气口用于向所述待处理衬底输送第二反应气体；以及驱动装置，其用于驱动所述待处理衬底依次通过所述第一出气口和第二出气口正对的区域；其特征在于：所述压力控制单元将所述所述腔体的气压控制在小于等于500mbar，所述出气面到所述衬底之间的距离大于等于0.5mm，所述出气面包括第三出气口，所述第三出气口设置在所述第一出气口和所述第二出气口之间，所述第三出气口用于向所述待处理衬底输送不与所述第一反应气体和所述第二反应气体反应的第三气体。