发明名称 METHOD FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND SINTERING PROMOTER
摘要 광소결을 이용한 도전막 형성 방법에 있어서, 전기저항이 낮은 도전막을 용이하게 형성한다. 광소결을 이용하여 도전막을 형성하는 도전막 형성 방법으로서, 구리 미립자 분산액으로 이루어지는 액막(2)을 기판(1) 위에 성막하는 공정과, 액막(2)을 건조하여 구리 미립자층(3)을 형성하는 공정과, 구리 미립자층(3)을 광소결하여 도전막(4)을 형성하는 공정과, 도전막(4)에 소결 진행제(5)를 부착시키는 공정과, 소결 진행제(5)를 부착시킨 도전막(4)을 더 광소결하는 공정을 가진다. 소결 진행제(5)는, 금속 구리로부터 구리 산화물을 제거하는 화합물이다. 이에 의해, 소결 진행제(5)가 도전막(4) 내의 구리 미립자(21)의 표면 산화 피막을 제거한다.
申请公布号 KR101691272(B1) 申请公布日期 2016.12.29
申请号 KR20147027742 申请日期 2013.02.28
申请人 이시하라 케미칼 가부시키가이샤 发明人 카와토 유이치;미야모토 카즈시게;마에다 유스케;쿠도 토미오
分类号 H01B1/02;B22F3/22;B22F7/00;B22F7/04;B22F7/08;H01B13/00;H01B13/32;H05K3/12 主分类号 H01B1/02
代理机构 代理人
主权项
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