| 发明名称 | 一种太赫兹探测器芯片 | ||
| 摘要 | 一种太赫兹探测器芯片，有：第一MOS探测管和第二MOS探测管，用于对第一MOS探测管和第二MOS探测管接收到的信号进行整流后输出的直流信号进行放大的低噪声放大器，第一MOS探测管和第二MOS探测管的漏极共同连接低噪声放大器的输入端，第一MOS探测管和第二MOS探测管的源极共同接地，第一MOS探测管的栅极通过第一阻抗匹配器连接第一片状天线，第二MOS探测管的栅极通过第二阻抗匹配器连接第二片状天线。本发明实现了天线、探测管和放大器的集成,从而实现了探测器的小型化，提高了探测器的成品率，降低了成本，实现了太赫兹波的双倍接收与转换，可将输出信号成倍提高，极大的降低了回波损耗，提高了信号功率的传输效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105679778A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610123756.4 | 申请日期 | 2016.03.04 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 毛陆虹;赵帆;郭维廉;谢生;张世林;贺鹏鹏 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 杜文茹 |
| 主权项 | 一种太赫兹探测器芯片，其特征在于，包括有：第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)，用于对第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)接收到的信号进行整流后输出的直流信号进行放大的低噪声放大器(1)，所述第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)的漏极共同连接用于对第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)输出的低频信号进行放大的低噪声放大器(1)的输入端，所述所述第一MOS探测管(4)和第二MOS探测管(5)的源极共同接地，所述第一MOS探测管(4)的栅极通过第一阻抗匹配器(3)连接第一片状天线(2)，所述第二MOS探测管(5)的栅极通过第二阻抗匹配器(6)连接第二片状天线(7)。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||