功率半导体装置

摘要

本发明涉及一种功率半导体装置(10)，包括：具有上部侧(14)和具有下部侧(16)的功率半导体元件(12)，上部侧(14)定位于与下部侧(16)相对；第一电极(18)和第二电极(20)；及壳体，其中功率半导体元件(12)布置在第一电极(18)与第二电极(20)之间，使得上部侧(14)包括与第一电极(18)接触的第一接触部分(22)和不与第一电极(18)接触的第一自由部分(24)，并且其中下部侧(16)至少包括与第二电极(20)接触的第二接触部分(26)，并且其中提供了流动连接第一自由部分(24)的至少部分与壳体的预确定的脱气点(38)的沟道(36)，以用于从第一自由部分(24)引导过压到预确定的脱气点(38)，过压由在功率半导体装置的操作期间在失效模式中出现的等离子体和/或气体引起。根据本发明的功率半导体装置(10)可能够实现在临界失效模式中形成的具有高压的热等离子体和/或气体从壳体的受控逸出，同时防止热等离子体和/或气体对散热器或半导体装置(10)所处的设备的其它部分造成损坏。因此，至少部分地防止了功率半导体装置(10)在失效模式中爆炸，改进了操纵失效装置的人员的安全，并且降低了损坏功率半导体装置(10)附近的部分的危险。

主权项

一种功率半导体装置，包括：功率半导体元件(12)，具有上部侧(14)和具有下部侧(16)，所述上部侧(14)定位于与所述下部侧(16)相对；第一电极(18)和第二电极(20)，以及壳体，其中所述功率半导体元件(12)布置在所述第一电极(18)与所述第二电极(20)之间，使得所述上部侧(14)包括与所述第一电极(18)接触的第一接触部分(22)和不与所述第一电极(18)接触的第一自由部分(24)，并且其中所述下部侧(16)至少包括与所述第二电极(20)接触的第二接触部分(26)，并且其中提供了流动连接所述第一自由部分(24)的至少部分与所述壳体的预确定的脱气点(38)的沟道(36)，以用于从所述第一自由部分(24)引导过压到所述预确定的脱气点(38)，所述过压由在所述功率半导体装置的操作期间在失效模式中出现的等离子体和/或气体引起。