一种闪存单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存单元，包括半导体基板；半导体基板的上表面设置有栅氧化层，栅氧化层的上表面设置有下多晶硅栅极，下多晶硅栅极的上表面设置有介电层，介电层的上表面设置有上多晶硅栅层；上多晶硅栅层的上表面，以及上多晶硅栅层、介电层与下多晶硅栅极的一侧面均设置有氧化层；上多晶硅栅层、介电层与下多晶硅栅极的侧面的氧化层上设置有多晶硅层。本发明还公开了一种制造闪存单元的方法。本发明所述的闪存单元仅包括1.5个晶体管，且源极和控制栅极之间的间距较小，因此其面积较小，克服了传统的闪存单元的面积较大的技术缺陷，因此可以广泛应用于半导体技术领域中。

主权项

一种闪存单元，其特征在于，包括半导体基板；所述半导体基板的上表面设置有栅氧化层，所述栅氧化层的上表面设置有下多晶硅栅极，所述下多晶硅栅极的上表面设置有介电层，所述介电层的上表面设置有上多晶硅栅层；所述上多晶硅栅层的上表面，以及上多晶硅栅层、所述介电层与所述下多晶硅栅极的一侧面均设置有氧化层；所述上多晶硅栅层、所述介电层与所述下多晶硅栅极的一侧面的氧化层上设置有多晶硅层；所述上多晶硅栅极为控制栅极，所述下多晶硅栅极为浮置栅极，所述多晶硅层为源极栅极；所述多晶硅层的结构形状包括扇形结构和三角形结构。