| 摘要 |
본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층, 및 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광칩(semiconductor light emitting chip); 반도체 발광칩 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 표면장력에 의해 상승된(elevated) 상단을 가지는 벽; 반도체 발광칩을 덮도록(cover) 벽의 상단이 형성하는 캐비티(cavity)에 형성된 제1 봉지재; 그리고 적어도 벽과 반도체 발광칩의 사이에 개재된 제2 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. |
