| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。 | ||
| 申请公布号 | CN1585144A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN200410057832.3 | 申请日期 | 2004.08.18 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所 | 发明人 | 平山秀树;秋田胜史;中村孝夫 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种发光元件，其特征在于，具备：氮化物半导体基板和，在所述氮化物半导体基板的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层(4、24)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||